您好,欢迎来到深圳市卓越微芯电子有限公司

首页>IC芯片>HGTP5N120BND

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    hgtp5n120bnd

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

规格书PDF

  • 芯片型号:

    HGTP5N120BND

  • PDF资料下载:

    下载资料

  • 原厂全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 原厂简称:

    FAIRCHILD

  • 页数:

    8

  • 文件大小:

    216 kb

  • 说明:

    21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes